SUNX日本進口CMOS型微型激光位移傳感器說明書

・輸出阻抗：100Ω
實現1/100ｍｍ的高精度檢測
・ 剩餘電壓：1.5V以下(流出電流50mA時)
800μm(測量距離400～600mm)
・ 漏電流：0.1mA以下
<PNP輸出型>
采用位移傳感器所使用的高精度CMOS影像傳感器，以及位移傳感器直使用的*的算法，
±0.3%F.S.(測量距離400～600mm)
溫度特性 0.03% F.S./℃
重複精度  200μm
300μm(測量距離200～400mm)
設計出內部安裝有鏡麵的新型光學係統
般通過延長受光部分與受光元件(CMOS)之間的光路長度，
<NPN輸出型>
同時又可實現與變位傳感器相媲美的高精度測量。
紅色半導體激光 2[JIS/IEC/GB/FDA]
・ 溫度特性：0.03％F.S./℃
不僅能以mm為單位顯示數值，還能讀取模擬輸出數值。
PNP開路集電晶體管
・ zui大流入電流：50mA
・ 外加電壓：30V DC以下(控製輸出-+V之間)
但是另方麵，傳感器的進深方向會變長，機身形狀也會變大。
從而可獲得精度更高、更穩定的測量值，
・ 剩餘電壓：1.5V以下(流入電流50mA時)
形狀達到業內小型※的CMOS激光傳感器

SUNX日本進口CMOS型微型激光位移傳感器說明書
・ 漏電流：0.1mA以下
輸出動作  入光時ON/非入光時ON　可切換
短路保護  配備(自動恢複)
模擬電壓輸出
・輸出範圍：0～5V(報警時：+5.2V)
用測距傳感器規定測定值
・ 直線性：±0.1％F.S.※1
讀入到PLC＋模擬量單元，還能執行各種運算，並存儲(記錄)測量值。
直線性  ±0.2%F.S.
±0.2%F.S.(測量距離200～400mm)
NPN開路集電晶體管
・ zui大流入電流：50mA
・外加電壓：30V DC以下(控製輸出-0V之間)
模擬電流輸出
・輸出範圍：4～20mA(報警時：0mA)
・輸出阻抗：300Ω
反應時間  1.5ms／5ms／10ms　可切換
采用高精度CMOS傳感器&*的算法
zui大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
電源電壓  12～24V DC±10%　脈動P-P10%以下
消耗電流(注4)
40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時)
使距離設定反射型傳感器實現*的高精度（1/100mm）。
測量距離  200mm
HG-C係列設計出內部安裝有反射鏡的新型光學係統，並縮短進深方向的尺寸，
測量範圍  ±80mm